Segunda seccion poder ejecutivo secretaria de economia



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TRANSITORIO

UNICO.- El presente Acuerdo entrará en vigor a los diez días hábiles siguientes al de su publicación en el Diario Oficial de la Federación.

México, D.F., a 11 de octubre de 2012.- El Secretario de Economía, Bruno Ferrari García de Alba.- Rúbrica.



ANEXO I

BIENES DE USO DUAL



Fracción
Arancelaria TIGIE


Descripción













Categoría 1: Materiales especiales y equipos relacionados

1.C. Materiales









Grupo 1.C.6.



De las siguientes fracciones arancelarias:








2903.76.01

Bromoclorodifluorometano, bromotrifluorometano y dibromotetrafluoroetanos.




Unicamente: Fluidos de amortiguación o de flotación: de una pureza superior al
99.8 %; que contengan menos de 25 partículas de un tamaño igual o superior a 200 micras por 100 ml; y constituidos en un 85% como mínimo por dibromotetrafluoretano.








Categoría 2: Materiales Procesados




2.B. Equipo de producción, pruebas e inspección.











Grupo 2.B.5.



De las siguientes fracciones arancelarias:








8486.20.02

Aparatos de implantación iónica para dopar material semiconductor.




Unicamente: Equipos de producción para la implantación iónica que tengan corrientes de haz iguales o superiores a 5 mA.








Categoría 3: Electrónica




3.B. Equipo de producción, pruebas e inspección






Grupo 3.B.1.



De las siguientes fracciones arancelarias:




8419.89.99

Los demás.




Unicamente: Equipos con funcionamiento casete-a-casete y bloqueos de carga, diseñados de conformidad con las especificaciones del fabricante u optimizados para ser utilizados en la fabricación de dispositivos semiconductores con unas dimensiones críticas iguales o inferiores a 65 nm.

8419.90.99

Los demás.




Unicamente: Para reactores de deposición química en fase vapor de organometálicos (MOCVD) diseñados especialmente para el crecimiento de cristales de semiconductores compuestos mediante reacción química entre materiales incluidos en los artículos 3.C.3 ó 3.C.4, o equipos de crecimiento epitaxial de haz molecular que utilicen fuentes sólidas o gaseosas.




Unicamente: Equipos con funcionamiento casete-a-casete y bloqueos de carga, diseñados de conformidad con las especificaciones del fabricante u optimizados para ser utilizados en la fabricación de dispositivos semiconductores con unas dimensiones críticas iguales o inferiores a 65 nm.

8479.89.99

Los demás.




Unicamente: Sistemas centrales de manipulación de obleas para la carga automática de cámaras múltiples que tengan las características siguientes: 1. Interfaces para la entrada y salida de obleas, a los que hayan de conectarse más de dos partes de equipos de proceso de semiconductores especificados por 3.B.1.a., 3.B.1.b., 3.B.1.c. o 3.B.1.d.; y 2. Diseñados para formar un sistema integrado en un ambiente bajo vacío para el tratamiento secuencial múltiple de las obleas.

8479.90.99

Los demás.




Unicamente: Para sistemas centrales de manipulación de obleas para la carga automática de cámaras múltiples que tengan las características siguientes:
1. Interfaces para la entrada y salida de obleas, a los que hayan de conectarse más de dos partes de equipos de proceso de semiconductores; y 2. Diseñados para formar un sistema integrado en un ambiente bajo vacío para el tratamiento secuencial múltiple de las obleas.

8486.10.01

Máquinas y aparatos para la fabricación de semiconductores en forma de monocristales periformes u obleas (“wafers”).




Unicamente: Equipos capaces de producir una capa de cualquier material distinto al silicio con espesor uniforme con una precisión de ± 2.5% sobre una distancia igual o superior a 75 mm.

8486.20.99

Los demás.




Unicamente: Equipos capaces de producir una capa de cualquier material distinto al silicio con espesor uniforme con una precisión de ± 2.5% sobre una distancia igual o superior a 75 mm.




Unicamente: Equipos diseñados para la implantación iónica y que tengan cualquiera de las características siguientes: 1. una energía del haz (tensión de aceleración) superior a 1 MeV; 2. diseñados especialmente y optimizados para funcionar a una energía del haz (tensión de aceleración) inferior a 2 keV; 3. capacidad de escritura directa; o 4. una energía del haz igual o superior a 65 keV y una corriente del haz igual o superior a 45 mA para la implantación, a alta energía, de oxígeno en un sustrato de material semiconductor calentado.




Unicamente: Equipos de deposición química en fase vapor (CVD) asistida por plasma: 1) Equipos con funcionamiento casete-a-casete y bloqueos de carga, diseñados de conformidad con las especificaciones del fabricante u optimizados para ser utilizados en la fabricación de dispositivos semiconductores con unas dimensiones críticas iguales o inferiores a 65 nm; 2) Equipos diseñados especialmente para el equipo incluido en el subartículo 3.B.1.e. y diseñados de conformidad con las especificaciones del fabricante u optimizados para ser utilizados en la fabricación de dispositivos semiconductores con unas dimensiones críticas iguales o inferiores a 65 nm.




Unicamente: Equipos diseñados especialmente para el equipo incluido en el subartículo 3.B.1.e. y diseñados de conformidad con las especificaciones del fabricante u optimizados para ser utilizados en la fabricación de dispositivos semiconductores con unas dimensiones críticas iguales o inferiores a 65 nm.




Unicamente: Equipos diseñados especialmente para la fabricación de máscaras o el proceso de dispositivos semiconductores utilizando métodos de escritura directa, que cumplan todo lo siguiente: a. Que utilicen un haz de electrones, un haz de iones o un haz láser, enfocado y desviable, y b. que tengan cualquiera de las características siguientes: 1) tamaño del haz en el impacto spot inferior a 0.2 micras; 2) capacidad de producir un patrón en el que el tamaño de la característica sea inferior a 1 µm; y 3) exactitud de recubrimiento mejor que ± 0.20 micras (3 sigma).

8486.40.01

Máquinas y aparatos descritos en la Nota 9 C) de este Capítulo.




Unicamente: Sistemas centrales de manipulación de obleas para la carga automática de cámaras múltiples que tengan las características siguientes: 1. Interfaces para la entrada y salida de obleas, a los que hayan de conectarse más de dos partes de equipos de proceso de semiconductores; y 2. Diseñados para formar un sistema integrado en un ambiente bajo vacío para el tratamiento secuencial múltiple de
las obleas.




Unicamente: Equipos de alineación y exposición, por paso y repetición (paso directo en la oblea) o por paso y exploración (explorador), para el proceso de obleas utilizando métodos fotoópticos o de rayos X y que tengan cualquiera de las características siguientes: a. longitud de onda de la fuente luminosa inferior a 245 nm; o b. Capacidad de producir un patrón cuyo tamaño de la característica resoluble mínima sea igual o inferior a 95 nm.

8486.90.01

Partes y accesorios reconocibles exclusivamente para lo comprendido en la fracción 8486.10.01.




Unicamente: Para equipos capaces de producir una capa de cualquier material distinto al silicio con espesor uniforme con una precisión de ± 2.5% sobre una distancia igual o superior a 75 mm.

8486.90.02

Partes y accesorios reconocibles exclusivamente para lo comprendido en la fracción 8486.20.01.




Unicamente: Para equipos diseñados especialmente para el equipo incluido en el subartículo 3.B.1.e. y diseñados de conformidad con las especificaciones del fabricante u optimizados para ser utilizados en la fabricación de dispositivos semiconductores con unas dimensiones críticas iguales o inferiores a 65 nm.










3.C. Materiales






Grupo 3.C.3.



De las siguientes fracciones arancelarias:




2931.90.99

Los demás.




Unicamente: Compuestos organometálicos de aluminio, de galio o de indio, con una pureza (del metal) superior al 99.999%; y Compuestos organoarsénicos, organoantimónicos y organofosfóricos, con una pureza (del elemento inorgánico) superior a 99.999%.







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